Sinopsis

Las aplicaciones industriales de los sistemas electrónicos crecen de modo exponencial desde la invención de los primeros dispositivos electrónicos semiconductores debido a su gran capacidad de integración, bajo precio y fiabilidad. Los dispositivos electrónicos son los componentes fundamentales de los circuitos. El objetivo principal de este libro es familiarizar a ingenieros electrónicos y, en general, a profesionales del sector de la electrónica, con el funcionamiento de los dispositivos electrónicos y los circuitos básicos que se fabrican con estos. La carencia de bibliografía relacionada con los dispositivos electrónicos en español, y en particular con aplicaciones prácticas mediante la resolución de ejercicios, hace a este libro único en su género. Su enfoque práctico lo convierte en una herramienta esencial para los estudiantes de asignaturas relacionadas con los dispositivos electrónicos en titulaciones de Ingeniería Electrónica, de Telecomunicaciones e Industrial; y también para alumnos que cursan asignaturas relacionadas con Electrónica Física, Dispositivos Electrónicos y Electrónica General en la Licenciatura de Físicas. La resolución de problemas sirve de pretexto para manejar conceptos teóricos, valores reales de magnitudes físicas y métodos de resolución numérica. El planteamiento propuesto sería de difícil justificación en un libro de teoría, de ahí el valor didáctico y formativo de la obra. El libro puede servir también de referencia rápida a los profesionales de la Electrónica que necesitan refrescar la memoria en lo referente a los dispositivos electrónicos. En la segunda edición hemos añadido problemas nuevos y modificaciones en otros ya existentes. Se han mejorado las tablas y apéndices, y hemos hecho un esfuerzo por contextualizar histórica y tecnológicamente los dispositivos que se analizan.


INDICE: PREFACIO CAPÍTULO 1. ESTADOS ELECTRÓNICOS Y BANDAS DE ENERGÍA EN SEMICONDUCTORES 1.1 REDES CRISTALINAS I 1.2 REDES CRISTALINAS II 1.3 ÍNDICES DE MILLER 1.4 ESTRUCTURA DE BANDAS I 1.5 ESTRUCTURA DE BANDAS II 1.6 ESTRUCTURA DE BANDAS III 1.7 CÁLCULO DE VELOCIDADES Y MASAS EFECTIVAS 1.8 TRANSPORTE DE PORTADORES EN UN CAMPO ELÉCTRICO 1.9 DENSIDAD DE ESTADOS ENERGÉTICOS. SEMICONDUCTOR TRIDIMENSIONAL 1.10 DENSIDAD DE ESTADOS ENERGÉTICOS. SEMICONDUCTOR BIDIMENSIONAL 1.11 ESTADÍSTICA DE SEMICONDUCTORES 1.12 CENTROS TRIPOLARES 1.13 EFECTO HALL 1.14 CENTROS PROFUNDOS 1.15 GENERACIÓN Y RECOMBINACIÓN DE PORTADORES 1.16 RECOMBINACIÓN AUGER 1.17 PROBLEMAS PROPUESTOS CAPÍTULO 2. TRANSPORTE EN SEMICONDUCTORES 2.1 PSEUDONIVELES DE FERMI 2.2 TIEMPOS DE RELAJACIÓN 2.3 ECUACIONES DE CONTINUIDAD I 2.4 ECUACIONES DE CONTINUIDAD II 2.5 EVOLUCIÓN TEMPORAL DEL EXCESO DE PORTADORES 2.6 IONIZACIÓN POR IMPACTO 2.7 PROBLEMAS PROPUESTOS CAPÍTULO 3. LA UNIÓN METAL-SEMICONDUCTOR 3.1 RELACIÓN ENTRE CARGAS, POTENCIALES Y CORRIENTES 3.2 UNIÓN METAL-SEMICONDUCTOR EN CIRCUITOS 3.3 CÁLCULO DEL POTENCIAL EN DIODOS METAL-SEMICONDUCTOR INTRÍNSECO-SEMICONDUCTOR DOPADO 3.4 UNIONES METAL-SEMICONDUCTOR ÓHMICAS 3.5 CÁLCULO DE LA CAPACIDAD DE TRANSICIÓN. ESTUDIO DE LOS PERFILES DE DOPADO 3.6 PROBLEMAS PROPUESTOS CAPÍTULO 4. LA UNIÓN PN 4.1 RELACIÓN ENTRE CARGAS, POTENCIALES Y CORRIENTES 4.2 MODELO DE GRAN SEÑAL DEL DIODO, RESISTENCIA INTERNA 4.3 CORRIENTES DE GENERACIÓN Y RECOMBINACIÓN 4.4 CAPACIDAD DE LA UNIÓN PN Y CÁLCULO DE PERFILES DE DOPADO 4.5 MODELO DE CONTROL DE CARGA, TIEMPO DE ALMACENAMIENTO 4.6 PROBLEMAS PROPUESTOS CAPÍTULO 5. EL TRANSISTOR BIPOLAR 5.1 CARGAS Y CORRIENTES EN EL TRANSISTOR BIPOLAR 5.2 POLARIZACIÓN DE TRANSISTORES PNP 5.3 MODELO DE PEQUEÑA SEÑAL DEL TB 5.4 TRANSISTOR BIPOLAR DE DERIVA, DOPADO DE BASE NO UNIFORME. TRANSISTORES DE BASE GRADUAL 7 5.5 ROTURA EN UN TRANSISTOR BIPOLAR POR MULTIPLICACIÓN EN AVALANCHA Y PUNCHTHROUGH 5.6 PROBLEMAS PROPUESTOS CAPÍTULO 6. ESTRUCTURA METAL-AISLANTE-SEMICONDUCTOR 6.1 RELACIÓN ENTRE CARGA Y POTENCIAL 6.2 FUERTE INVERSIÓN. TENSIÓN UMBRAL 6.3 DÉBIL INVERSIÓN. EFECTO DE LOS ESTADOS DE SUPERFICIE 6.4 CAPACIDADES EN LA ESTRUCTURA MIS 6.5 PROCESOS DE GENERACIÓN Y RECOMBINACIÓN EN LA ESTRUCTURA MIS 6.6 PROCESOS DE FORMACIÓN DE CARGA ESTÁTICA EN LA PUERTA Y RUPTURA DEL AISLANTE DE LA ESTRUCTURA MIS 6.7 CÁLCULO DEL POTENCIAL EN UNA ESTRUCTURA MIS DE DOBLE PUERTA SIMÉTRICA 6.8 PROBLEMAS PROPUESTOS